１兆分の１秒の間の電場印加で絶縁体を金属に高速スイッチング

発表のポイント

• テラヘルツパルス光（注１）を用いて１ピコ秒（１兆分の１秒）の間だけ強電場を印加することにより、有機分子性結晶を絶縁体から金属へ瞬時に転移させることに成功した。
• テラヘルツパルス光の電場による瞬時の絶縁破壊によってキャリアが生成し、それをきっかけに金属化が起こるという新しい相転移の機構を明らかにした。
• この手法によって高速かつ高効率に固体の電子構造や物性を制御できることを実証し、省エネルギー光デバイスへの可能性を示した。