~高発熱デバイス向けに安定した品質と供給可能な体制を確立~ 2026年7月15日 – 株式会社U-MAP(本社:愛知県名古屋市千種区、代表取締役:西谷健治)は、当社が開発する窒化アルミニウム(AlN)放熱基板が、国内の基
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通信、Beyond 5G/6G、IOWN、データセンター、広帯域伝送
~高発熱デバイス向けに安定した品質と供給可能な体制を確立~ 2026年7月15日 – 株式会社U-MAP(本社:愛知県名古屋市千種区、代表取締役:西谷健治)は、当社が開発する窒化アルミニウム(AlN)放熱基板が、国内の基
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日本語で読みたい方は、 google chromeで開き、 画面上で右クリックをして、「日本語に翻訳」をクリックしてください Billerica, MA – June 17, 2025 – Sheaumann Laser
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-専門技術に頼ることなく高周波デバイス特性の正確な評価を可能に- ポイント 導波路の接続状態によって変化する高周波信号の測定データを参照し、機械学習を活用することで接続の良好・不良を自動で判定 測定システム、周波数、測定
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国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構(理事長:山川 宏、以下「JAXA」)研究開発部門センサ研究グループらと、学校法人早稲田大学(理事長:田中 愛治、以下「早稲田大学」)理工学術院の川西 哲也教授の研究グルー
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—— テラヘルツから深紫外までの領域で98%以上の吸収率を実現—— 発表のポイント シリコンで作製したモスアイ構造を厚さ100 nmのカーボン薄膜でコートすることで、1〜1200 THzの超広幅領域にわたり98%以上の
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~広帯域増幅器を用いて世界最速280Gbpsの高出力信号生成に成功~ 2025年6月16日 日本電信電話株式会社NTTイノベーティブデバイス株式会社Keysight Technologies, Inc. 300GHz帯の
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6G通信および非破壊センシング分野への社会実装に向けて2026年度に量産化を目指す OKIは、NTTイノベーティブデバイス株式会社(本社:神奈川県、代表取締役社長 塚野 英博、以下NTTデバイス)と共同で、CFB®
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発表のポイント 次世代半導体の回路基板と目されているガラス基板に対し、直径10マイクロメートル以下の微細穴あけ加工を深紫外レーザーで実現しました。 深紫外領域の超短パルスレーザーを用いることで、ガラス基板に対し、配線用に
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~走行中の自律移動型警備ロボットとのGbps級大容量無線通信をフィールドで実証~ 国立大学法人三重大学(代表提案者、本部:三重県津市、学長 伊藤正明、以下 三重大学)、株式会社国際電気(本社:東京都港区、代表
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2025年5月15日 パナソニック ホールディングス株式会社 株式会社国際電気 国立大学法人名古屋工業大学 株式会社KDDI総合研究所 パナソニック ホールディングス株式会社(以下、パナソニック ホールディングス)、株式
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