超短パルスレーザー | Optinews

（レーザー関連）大阪公立大学他／あざ治療のメタ分析にレーザー照射条件を新たに取り入れピコ秒レーザーとナノ秒レーザーを比較

2025年07月03日＜ポイント＞従来のメタ分析では考慮されていなかったレーザー照射条件の適正さを判定したうえで、治療効果を評価する新たなメタ分析手法を開発。太田母斑※1のレーザー治療を分析した結果、適正な照射条件

◆発表のポイント三次元LSIなどの最先端半導体開発に貢献する、新しい分析手法を開発。半導体PN接合の光励起による電子の動きとテラヘルツ波放射の関係を説明する単純化モデルを提案。シリコン（Si）ウェハ内部に浅く形成さ

――半導体分野におけるガラスの微細加工に革新―― 発表のポイントガラスなどの加工の難しい材料を、従来の100万倍高速で、なおかつ超精密に加工できる手法を開発しました。ピコ秒（10のマイナス12乗秒）という極短時間だけ

発表のポイント次世代半導体の回路基板と目されているガラス基板に対し、直径10マイクロメートル以下の微細穴あけ加工を深紫外レーザーで実現しました。深紫外領域の超短パルスレーザーを用いることで、ガラス基板に対し、配線用に

―分子の向きも識別できる次世代のナノ計測技術― （杉本敏樹グループ）【発表のポイント】ナノスケールで位置制御できる微小空間に局在した光を利用して、分子からの和周波発生信号（１）を検出することに成功微小空間に存在する

—— 相対論効果による原子の電子密度分布の歪みを観測—— 発表のポイント本研究チームが独自に開発を進めてきた「強レーザー場超高分解能フーリエ変換分光法」に長尺干渉計を導入して計測精度を高めた結果、クリプトンイオン(Kr

連続光やナノ秒（10のマイナス9乗秒）パルス光のレーザーを用いて紙を切断すると、紙が変色を起こすことが課題となっていました。宇都宮大学オプティクス教育研究センターの早﨑芳夫教授は、150フェムト秒（10のマイナス15乗秒

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～半導体を評価する新しい手法の提案～本研究成果のストーリー●Question 半導体デバイスの中心的な役割を担うp型とn型半導体を接合したpn接合界面が発見されて以来約70年間、pn接合界面が直接観察されることはなかっ

データ駆動型レーザー加工によって欠損率の低いナノ構造を実現ポイントガラス表面へのナノ加工時の欠損率を従来法と比べて約 30 分の 1 に低減光学シミュレーションによりナノ周期構造形成時のガラスの透過率が高くなる原因を