―― 4法人で半導体後工程技術を開発 ――
発表のポイント
- 次世代半導体基板加工技術として不可欠な、深紫外（DUV）レーザー加工機を用いた層間絶縁膜への直径 3 マイクロメートルの微細穴あけ加工を実現しました。
- 現在チップ実装基板の層間配線として用いられているのは、直径40マイクロメートル穴であり、一桁小さい微細穴あけ加工技術の実現は、半導体実装基板の高密度化へ貢献します。
- 半導体後工程におけるレーザー微細穴あけ加工技術の向上により、次世代チップレットの高機能化が期待されます。
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