（レーザー関連）名城大学他／高出力の深紫外LEDや深紫外半導体レーザーの開発に向けて、 加熱・加圧した水を使用して 基板からAlGaN半導体層を剥離する技術とメカニズムを解明

Applied Physics Expressの「Spotlights 2023」に選出

 名城大学理工学部材料機能工学科の岩谷素顕教授、竹内哲也教授、上山智教授、名城大学理工学部応用化学科の丸山隆弘教授、三重大学大学院工学研究科の三宅秀人教授の研究グループは、高光出力の深紫外LEDや深紫外半導体レーザーを実現するために不可欠である、縦型AlGaN系深紫外半導体レーザーの開発に成功。さらに、半導体プロセスに導入しやすい加熱・加圧した水で基板剥離する技術を開発し、その基板剥離メカニズムも解明しました。