（テラヘルツ関連）高精度テラヘルツエリプソメトリによりGaNやSiCなどの半導体評価精度を10倍以上に向上

研究成果のポイント

• 窒化ガリウム（GaN）は、最も重要な半導体の1つで、6G機器に対する代表的な候補材料。低抵抗GaNウエハ（特に、10¹⁹cm^-3かそれ以上）の電気特性の非破壊検査は強く望まれている。
• テラヘルツ時間領域エリプソメトリと呼ばれる光学技術を、回転検光子を用いたマルチ時間波形測定により解析の精度を10倍以上改良することに成功しました。
• このテラヘルツ時間領域エリプソメトリと呼ばれる光学技術が約10²⁰-10²¹cm^-3までの高キャリア濃度GaNウエハの電気特性評価に対して有効であることを実証しました。これはGaNだけでなく、SiCや他の半導体等の評価にも役立つ手法です。

概要
大阪大学レーザー科学研究所の中嶋誠准教授、Agulto, Verdad C. (アグルト, ヴァーダッド C.)特任研究員、Mag-usara, Valynn K. (マグウサラ, ヴァリン K.)特任研究員、吉村政志教授、日邦プレシジョン株式会社の岩本敏志博士、大阪大学大学院工学研究科の森勇介教授、今西正幸准教授らの研究グループは、キャリア濃度が10²⁰cm^-3に達する窒化ガリウム（GaN）ウエハのキャリア濃度および移動度を非接触・非破壊の手法で評価することに成功しました。