発表のポイント 次世代半導体の回路基板と目されているガラス基板に対し、直径10マイクロメートル以下の微細穴あけ加工を深紫外レーザーで実現しました。 深紫外領域の超短パルスレーザーを用いることで、ガラス基板に対し、配線用に
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発表のポイント 次世代半導体の回路基板と目されているガラス基板に対し、直径10マイクロメートル以下の微細穴あけ加工を深紫外レーザーで実現しました。 深紫外領域の超短パルスレーザーを用いることで、ガラス基板に対し、配線用に
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