半導体製造装置メーカー・株式会社ディスコ（本社：東京都大田区、社長：関家一馬）は、レーザによるインゴットスライス技術「KABRA」を応用したダイヤモンドウェーハ製造向けのプロセスを開発しました。当プロセスは、ダイヤモンドウェーハの大口径化に寄与します。
開発背景
ダイヤモンドはシリコン、炭化ケイ素、窒化ガリウムなどに比べ、優れた材料特性を持つことから「究極の半導体材料」と呼ばれています。特に絶縁耐圧や熱伝導性に優れていることからパワー半導体向け材料として期待され、さまざまな研究機関でデバイス開発が進行中です。一方、他に類を見ない硬質材料であることから機械的な加工は困難とされてきました。このため、ダイヤモンド結晶のインゴットからのウェーハスライスには、一般的にレーザが用られていました。しかしながら、従来のレーザスライス方式ではインゴット側面から加工を行うためインゴット径に制約があり、大口径化が困難でした。KABRAによるスライスではインゴット上面からレーザ照射を行うためインゴット径に制約が無く、大口径化に対応することが可能です。
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