単層シリコン基板で導波路とMEMSの一体化を世界初実証 【発表のポイント】 テラヘルツ帯（注 1）で動作するスイッチングデバイス（光スイッチ）を開 発しました。 従来の複雑な多層構造ではなく、単層シリコン基板上での作製に
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タグ: MEMS
単層シリコン基板で導波路とMEMSの一体化を世界初実証 【発表のポイント】 テラヘルツ帯（注 1）で動作するスイッチングデバイス（光スイッチ）を開 発しました。 従来の複雑な多層構造ではなく、単層シリコン基板上での作製に
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