—— テラヘルツから深紫外までの領域で98%以上の吸収率を実現——
発表のポイント
- シリコンで作製したモスアイ構造を厚さ100 nmのカーボン薄膜でコートすることで、1〜1200 THzの超広幅領域にわたり98%以上の吸収率を実現する光吸収材料を開発しました。
- モスアイ構造の反射抑制の特性とカーボン膜の広帯域な吸収特性を融合させることによって、人工構造によってテラヘルツから深紫外までの超広帯域な完全吸収特性を実現しました。
- 本成果は、その広帯域な高吸収特性を活かし、電磁波遮蔽材、放射計測機器の校正用黒体や熱放射源として、無線通信や電波天文学等の幅広い分野への貢献が期待されます。
発表概要
東京大学大学院理学系研究科の小西邦昭准教授らと、University of Eastern Finland (フィンランド)、State Research Institute Center for Physical Sciences and Technology（リトアニア）による研究グループは、シリコンで作製したモスアイ構造（注1）に厚さ100 nmのカーボン薄膜をコートすることで、1〜1200 THzという極めて広い周波数領域において98%以上の吸収率を示す人工材料を実現しました。
この情報へのアクセスはメンバーに限定されています。ログインしてください。メンバー登録は下記リンクをクリックしてください。