電流注入による世界最短波長深紫外レーザー発振に成功

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名古屋大学未来材料・システム研究所の天野 浩 教授らの研究グループは、旭化成株式会社と窒化アルミニウム(AlN)基板を用いた深紫外(UV-C)半導体レーザーの共同研究を進めてきました。このたび室温パルス電流注入による271.8 nmという世界で最も短波長のレーザー発振に成功しました。本研究のUV-C半導体レーザーは、旭化成のグループ会社であるCrystal IS社が製造するAlN基板を用いています。Crystal IS社のAlN基板は、2インチでかつ103個/cm2レベルの低い欠陥密度が特長で、今回のUV-Cレーザー発振に大きく寄与しています。これまでの半導体レーザーは、発振波長336 nmにとどまっており、今回の結果は、世界に先駆けてUV-C帯への短波長化の道を切り開きました。UV-C波長帯の半導体レーザーが実現できれば、ガス分析などセンシングへの応用、局所殺菌、DNAや微粒子などの計測・解析といった、ヘルスケア・医療分野への応用が期待されます。

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