（レーザー関連）株式会社ディスコ／GaNウェーハ生産に最適なKABRA®プロセスを開発

2023年7月3日

半導体製造装置メーカー・株式会社ディスコ（本社：東京都大田区、社長：関家一馬）は、レーザ加工によるインゴットスライス手法「KABRA」を用いた、GaN（窒化ガリウム）ウェーハ生産に最適化したプロセスを開発しました。当プロセスにより、GaNウェーハ生産時における取り枚数増及び加工時間の短縮を同時に実現します。