【発表のポイント】
- テラヘルツ帯（注 1）で動作するスイッチングデバイス（光スイッチ）を開
発しました。 - 従来の複雑な多層構造ではなく、単層シリコン基板上での作製に成功し
ました。 - 消費電力 3.6mW の低消費電力と高いスイッチ性能（消光比 13.69dB）（注 2）
を実現しました。 - 6G通信（注3）に向けたフォトニック集積回路の小型化・低電力化に貢献す
ることが期待されます。
この情報へのアクセスはメンバーに限定されています。ログインしてください。メンバー登録は下記リンクをクリックしてください。