～SiC基板上メンブレンレーザにより低消費電力で実現～
日本電信電話株式会社（本社：東京都千代田区、代表取締役社長：澤田純、以下「NTT」）は、国立大学法人 東京工業大学（東京都目黒区、学長：益一哉、以下 東工大）科学技術創成研究院 未来産業技術研究所の小山二三夫教授と共同で、高熱伝導率を持つSiC基板上にインジウムリン系化合物半導体を用いたメンブレンレーザを開発しました。直接変調レーザとして世界で初めて3dB帯域が100GHzを超え、毎秒256ギガビット（2560億ビット）の信号を2km伝送できることを確認しました。
直接変調レーザは、現在、データセンタで広く使用されていますが変調速度に限界があり課題とされてきました。本成果を用いれば、今後予想されるトラフィックの増大に低コスト・低消費電力に対応でき、また本技術の研究開発を進展させることで、NTTが提唱するIOWN構想を支える大容量光伝送基盤の実現に貢献していきます。本成果は、英国時間10月19日に英国科学雑誌「Nature Photonics」のオンライン速報版で公開されます。
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