※Si(シリコン)基板上に形成した100µm（マイクロメートル）以下のGaN系端面発光レーザーにおいて（2022年9月京セラ調べ）
京セラ株式会社（代表取締役社長：谷本 秀夫）は、独自の成膜技術を応用し、GaN系微小光源（短共振器レーザー・マイクロLED）を作製するためのSi（シリコン）をベースとした独自基板とその基板を用いたGaN系微小光源の新しい工法（デバイスプロセス）を開発し、世界で初めて100µm長レーザーの発振を実現しました。
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