(レーザー関連)京セラ株式会社/世界初※ 100µm長レーザーの発振を実現/GaN系微小光源(短共振器レーザー・マイクロLED)の 独自の基板と工法を開発

※Si(シリコン)基板上に形成した100µm(マイクロメートル)以下のGaN系端面発光レーザーにおいて(2022年9月京セラ調べ)

京セラ株式会社(代表取締役社長:谷本 秀夫)は、独自の成膜技術を応用し、GaN系微小光源(短共振器レーザー・マイクロLED)を作製するためのSi(シリコン)をベースとした独自基板とその基板を用いたGaN系微小光源の新しい工法(デバイスプロセス)を開発し、世界で初めて100µm長レーザーの発振を実現しました。

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