GaN 系垂直共振器型面発光レーザー（VCSEL）１）は、可視光領域における高効率・小型光源として注目されており、次世代ディスプレイ、センシング、光通信など幅広い応用が期待されています。名城大学 理工学部 化学・物質学科 材料機能工学専攻の竹内哲也教授、上山智教授、岩谷素顕教授の研究グループは、GaN系VCSELにおいて、従来重要とされてきた利得ピーク波長制御（デチューニング２））に加え、新たに共振波長制御である「共振器チューニング３）」がレーザー特性を大きく左右することを明らかにしました。さらに、この共振器チューニングを積極的に活用することで、内部パラメータの抽出と 26.4%の高い電力変換効率の達成に成功しました。
今回の成果は、高効率 GaN 系 VCSEL 実現に向けた新たな設計指針を提示するものであり、今後の実用化研究を大きく前進させるものです。本研究成果は、2026年4月30日にAIP「Applied Physics Letters」に掲載され、Featured Article（注目論文）として高く評価されています。
この情報へのアクセスはメンバーに限定されています。ログインしてください。メンバー登録は下記リンクをクリックしてください。