（レーザー関連）京都大学／酸化物磁性薄膜における光磁化スイッチングの実現

‐希土類フリー酸化物で世界初の光スイッチングを観測！

1. 発表者：
高橋 龍之介（兵庫県立大学大学院理学研究科 博士後期課程1年）
大河内 拓雄（公益財団法人高輝度光科学研究センター（JASRI）主幹研究員）
菅 大介（京都大学化学研究所 准教授）
島川 祐一（京都大学化学研究所 教授）
和達 大樹（兵庫県立大学大学院理学研究科 教授）

2. 発表のポイント：

• • 超短パルスレーザー（注 1）の照射によって、ニッケル・コバルト酸化物薄膜において、全光型磁化スイッチング（AOS）（注 2）が引き起こされました。
  • サンプル温度を 380 K 以上に上げ、レーザーパルスを同じ場所に蓄積させると完全に磁化が反転する領域である AOS リングを磁気光学カー顕微鏡（注 3）によって観測しました。
  • 実験結果は、磁化や保磁力の温度依存性に由来する磁区（注 4）サイズの温度変化が、AOSリングの生成条件に関わっていることを示唆しており、新しい AOS 材料開発の指針を示すものとなります。