(レーザー関連)名城大学他/AlGaN 系 UV-B 半導体レーザー高効率化の鍵を解明

― 内部光損失を最小化する新たな設計指針で世界最高レベルの
電力・光エネルギー変換効率 5.5%を達成 ―
Applied Physics Letters の注目論文にも選定

名城大学理工学部 化学・物質学科の岩谷素顕教授、竹内哲也教授、上山智教授、三重大学大学院工学研究科の三宅秀人教授らの研究グループは、AlGaN 系 UV-B1)半導体レーザーの電力・光エネルギー変換効率(Wall-Plug Efficiency: WPE)を制限する主な要因が、これまで重視されてきた光閉じ込めではなく、内部光損失2)であることを世界で初めて実験的に明らかにしました。
さらに、内部光損失を最小化する新しいレーザー設計指針を確立し、紫外半導体レーザーでは世界最高レベルとなる 5.5%の電力・光エネルギー変換効率3)を達成しました。
本研究成果は、2026 年 8 月 5 日に AIP「Applied Physics Letters」(https://doi.org/10.1063/5.0341819)に掲載され、高効率深紫外半導体レーザーの実用化を大きく前進させる成果として評価され、Scilight(Science highlight)と Featured Article(注目論文)に選出されました。

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