薄膜トランジスタを部分的なレーザー処理で高速化する技術を開発

ポイント

• ４Ｋ８Ｋ放送では画素数が増加し、画素あたりの表示時間が短くなるため、従来の大型テレビ向け液晶フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）では鮮明な表示ができなかった。
• 本開発では、ＦＰＤの画素点灯を制御する薄膜トランジスタ素子（ＴＦＴ）のチャネル領域のみをレーザーアニール処理することでＴＦＴ素子を高速化した。
• 本技術は、大型テレビ向けＦＰＤの高精細化や狭額縁化、製造コスト低減に寄与できるため、今後の量産に欠かせない製造技術になると期待される。

ＪＳＴ（理事長 濵口 道成）は、産学共同実用化開発事業（ＮｅｘＴＥＰ）の開発課題「大型フラットパネルディスプレイ向けレーザーアニール技術」の開発結果を成功と認定しました。この開発課題は、山形大学 大学院理工学研究科 城戸 淳二教授の研究成果を基に、平成２７年３月から平成３０年３月にかけて株式会社ブイ・テクノロジー（代表取締役 杉本 重人、本社住所 横浜市保土ヶ谷区神戸町１３４横浜ビジネスパーク イーストタワー９階、資本金２８億円）に委託し、同社にて実用化開発を進めていたものです。

４Ｋ８Ｋ放送では画素数が増加し、画素あたりの表示時間が短くなるため、一般的な大型液晶テレビで採用されているアモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）膜を用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）素子からなるフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）では対応できませんでした。ａ－Ｓｉ膜よりも高性能な低温ポリシリコン（以下、ポリシリコン）膜のＴＦＴを使えば、高精細化への対応が可能ですが、製造コストが高く、大型テレビへは適用ができませんでした。