薄膜トランジスタを部分的なレーザー処理で高速化する技術を開発

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ポイント

  • 4K8K放送では画素数が増加し、画素あたりの表示時間が短くなるため、従来の大型テレビ向け液晶フラットパネルディスプレイ(FPD)では鮮明な表示ができなかった。
  • 本開発では、FPDの画素点灯を制御する薄膜トランジスタ素子(TFT)のチャネル領域のみをレーザーアニール処理することでTFT素子を高速化した。
  • 本技術は、大型テレビ向けFPDの高精細化や狭額縁化、製造コスト低減に寄与できるため、今後の量産に欠かせない製造技術になると期待される。

JST(理事長 濵口 道成)は、産学共同実用化開発事業(NexTEP)の開発課題「大型フラットパネルディスプレイ向けレーザーアニール技術」の開発結果を成功と認定しました。この開発課題は、山形大学 大学院理工学研究科 城戸 淳二教授の研究成果を基に、平成27年3月から平成30年3月にかけて株式会社ブイ・テクノロジー(代表取締役 杉本 重人、本社住所 横浜市保土ヶ谷区神戸町134横浜ビジネスパーク イーストタワー9階、資本金28億円)に委託し、同社にて実用化開発を進めていたものです。

4K8K放送では画素数が増加し、画素あたりの表示時間が短くなるため、一般的な大型液晶テレビで採用されているアモルファスシリコン(a-Si)膜を用いた薄膜トランジスタ(TFT)素子からなるフラットパネルディスプレイ(FPD)では対応できませんでした。a-Si膜よりも高性能な低温ポリシリコン(以下、ポリシリコン)膜のTFTを使えば、高精細化への対応が可能ですが、製造コストが高く、大型テレビへは適用ができませんでした。

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