(レーザー関連)名城大学他/高出力を可能にする縦型 AlGaN 系 深紫外(UV-B)半導体レーザーを 世界で初めて開発

名城大学理工学部材料機能工学科の岩谷素顕教授、竹内哲也教授、上山智教授、三重大学大学院工学研究科の三宅秀人教授、ウシオ電機株式会社、および西進商事株式会社の研究グループは、高光出力深紫外半導体レーザー実現に必要不可欠である縦型AlGaN系深紫外(UV-B)半導体レーザーを開発しました。本研究成果は、2023年10月16日に英国物理学会誌の国際論文誌「Applied Physics Express」に掲載されました。

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