走査電子顕微鏡とフェムト秒レーザーを組み合わせ、物質の瞬間的な状態を観察できる超高速時間分解走査電子顕微鏡計測装置を開発しました。これを用いて、半導体GaAs(ガリウムヒ素)基板のデバイス上での金属電極の周囲の電位変化の様子を、43ピコ秒の時間分解能で可視化することに成功しました。
今日の社会を支えているさまざまな電子デバイスは、年々その動作速度が向上し、5Gバンドの次の世代(Beyond 5G)を想定したデバイス開発研究が活発に行われています。このような次世代の超高速半導体デバイスを開発するためには、デバイス内での電位や電子移動などの様子を精密に計測し、デバイスの動作状況を客観的に理解することが不可欠です。
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