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（レーザー関連）株式会社日立ハイテク／ウェーハメーカー向け高感度・高スループットウェーハ表面検査装置「LS9300AD」を発売

低アスペクトな微小欠陥の検出を可能にし、検査コスト削減および歩留まり向上に貢献株式会社日立ハイテク(以下、日立ハイテク)は、このたび、パターンなしウェーハ表面および裏面の異物や欠陥を検査する「LS9300AD」(以下、

日本語で読みたい方は、 google chromeで開いて、画面上で右クリックをして「日本語に翻訳」をクリックしてください High-purity semiconductor crystals are require

（ご参考）本件記事の要約 EPFL研究者が、「フェムト秒レーザー光を用いた、ガラス表面への光導電回路の直接パターニング（焼付け形成）技術」を発表。同研究者が、「テルライトガラスへのフェムト秒レーザー照射

―二次元材料を高効率、簡単に転写可能な技術で次世代半導体の開発に貢献― NEDOは委託事業として「NEDO先導研究プログラム」（以下、本事業）に取り組んでおり、今般、国立大学法人九州大学と日東電工株式会社と共同で、世界

ヤマハ発動機株式会社は、高速・高精度を両立させた電子部品実装工場向け3Dハイブリッド光学外観検査装置「YRi-V」に、ハイエンド仕様「YRi-V TypeHS」を追加し、3月1日に発売します。「YRi-V TypeHS

クリティカルレイヤー向けの最上位機種、半導体デバイスの三次元化にも貢献株式会社ニコン（社長：馬立稔和、東京都港区）は、ArF液浸スキャナー「NSR-S636E」を発売します。ニコン史上最高の生産性を誇り、重ね合わせ精

2023年7月3日半導体製造装置メーカー・株式会社ディスコ（本社：東京都大田区、社長：関家一馬）は、レーザ加工によるインゴットスライス手法「KABRA」を用いた、GaN（窒化ガリウム）ウェーハ生産に最適化したプロセスを

― ピコ秒帯域で駆動する超高速・高密度・低消費電力メモリの開発へ大きな一歩 ―１．発表のポイント： ◆ 近年、現状のシリコン半導体技術の性能を超えた高速、かつ、低消費電力な情報処理技術の開発が強く求められている。従来型の

‐希土類フリー酸化物で世界初の光スイッチングを観測！ 1. 発表者：高橋龍之介（兵庫県立大学大学院理学研究科博士後期課程1年）大河内拓雄（公益財団法人高輝度光科学研究センター（JASRI）主幹研究員）菅大介

2023年1月12日兵庫県立大学公益財団法人高輝度光科学研究センター京都大学化学研究所発表のポイント：超短パルスレーザー（注1）の照射によって、ニッケル・コバルト酸化物薄膜において、全光型磁化スイッチング（AO