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（レーザー関連）株式会社ディスコ／GaNウェーハ生産に最適なKABRA®プロセスを開発

2023年7月3日半導体製造装置メーカー・株式会社ディスコ（本社：東京都大田区、社長：関家一馬）は、レーザ加工によるインゴットスライス手法「KABRA」を用いた、GaN（窒化ガリウム）ウェーハ生産に最適化したプロセスを

― ピコ秒帯域で駆動する超高速・高密度・低消費電力メモリの開発へ大きな一歩 ―１．発表のポイント： ◆ 近年、現状のシリコン半導体技術の性能を超えた高速、かつ、低消費電力な情報処理技術の開発が強く求められている。従来型の

‐希土類フリー酸化物で世界初の光スイッチングを観測！ 1. 発表者：高橋龍之介（兵庫県立大学大学院理学研究科博士後期課程1年）大河内拓雄（公益財団法人高輝度光科学研究センター（JASRI）主幹研究員）菅大介

2023年1月12日兵庫県立大学公益財団法人高輝度光科学研究センター京都大学化学研究所発表のポイント：超短パルスレーザー（注1）の照射によって、ニッケル・コバルト酸化物薄膜において、全光型磁化スイッチング（AO

－歩留まり向上、検査コスト削減に貢献するインラインウェーハ表面検査装置－株式会社日立ハイテク(以下、日立ハイテク)は、このたびパターンなしウェーハ表面における異物や欠陥を検査する「LS9600」(以下、本製品)を発売し

～高電圧用のダイヤモンド電子デバイスの開発へ前進～千葉大学大学院工学研究院の比田井洋史教授、尾松孝茂教授らの研究チームは、レーザーの照射により絶縁体であるダイヤモンド内部の一部が変質して導電性を示す現象について研究し

―量子センサーやエネルギー変換に新たな道― 概要京都大学化学研究所田原弘量助教現在京都大学白眉センター特定准教授）、坂本雅典准教授、寺西利治教授、金光義彦教授の研究グループは、半導体量子ドット

【発表概要】株式会社東レリサーチセンター（所在地：東京都中央区日本橋本町一丁目1番1号、社長：川村邦昭）は、株式会社堀場製作所（所在地：京都市南区吉祥院宮の東町2番、社長：足立正之）の協力のもと、高い空間分解能と安定動

ナノスケールでGaNの厚さ分布を観測する新技術研究成果のポイントワイドバンドギャップGaNとInGaNで構成する多重量子井戸構造半導体の光に対する複雑な高速応答を解明した。 InGaN/GaN多重量子井戸構造は、大き

―光通信帯における新たな超高速光スイッチング技術の開発に期待― 概要京都大学化学研究所の金光義彦教授、湯本郷同特定助教、廣理英基同准教授、寺西利治教授らの研究グループは、レーザー光パルスをハライドペロブスカイト