2026年7月15日 –
株式会社U-MAP（本社：愛知県名古屋市千種区、代表取締役：西谷健治）は、当社が開発する窒化アルミニウム（AlN）放熱基板が、国内の基板メーカーにより量産認定されたことをお知らせします。これにより、レーザーダイオード（LD）や光通信トランシーバー、LED照明、サーモモジュールなどの用途に向けた、安定供給体制が整いました。
熱対策が求められる時代に
創業以来、電子機器の熱問題の根本的な解決を目指し、研究開発に取り組んできたU-MAPは、いま、高性能かつ安定した放熱材料を量産供給できる体制を構築できました。
高出力・高密度化が進む電子機器の設計において、熱マネジメントはもはや避けて通れない設計要素の一つです。中でも光半導体やパワーデバイスに用いられる発熱部材では、信頼性の高い放熱基板が不可欠とされています。
窒化アルミニウム（AlN）基板は、絶縁性と170W/m・Kクラスの熱伝導率を両立する素材として、レーザーダイオード（LD）用サブマウント、LED照明、サーモモジュールなど、信頼性と放熱性が求められる用途で採用されています。なお、LDはデータセンター内の光通信や通信基地局などでの利用も進んでおり、こうした高発熱デバイスにおいても、AlN基板の優れた放熱特性が期待されています。
(左・右)レーザーダイオード(LD)用サブマウント用途での事例
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