（レーザー関連）富士フイルム株式会社／先端半導体製造プロセスに用いられる環境配慮型の材料 PFASフリー*1 ネガ型ArF液浸レジスト 新開発

先端半導体の国際研究機関imec^*2と、金属配線工程での高い歩留まりを実証

富士フイルム株式会社（本社：東京都港区、代表取締役社長・CEO：後藤 禎一）は、先端半導体の製造プロセスに用いられる環境配慮型の材料として、環境や生態系への影響が懸念される有機フッ素化合物PFASを一切使わないネガ型ArF液浸レジストを開発しました。今回開発したPFASフリーのArF液浸レジストは、ネガ型のArF液浸露光^*3向けのフォトレジスト^*4です。当社は、先端半導体の国際研究機関であるimecとともに本レジストの性能を評価した結果、車載や産業用半導体をはじめ幅広く使われる28nm世代^*5の金属配線を高い歩留まり^*6で形成できることを実証しました。今後、顧客先での評価を経て、早期の販売を目指します。