発表のポイント：
将来の無線通信への応用が期待される300GHz帯において、高速トランジスタであるInP-HEMT*1と独自の高周波アナログ回路設計技術を用いた小型無線フロントエンド*2（FE）を実現
300GHz帯の半導体電子回路を用いたFEにおいて世界最高となる160Gbpsのデータ伝送に成功
第6世代移動通信システム（6G）で提唱されているさまざまなユースケースを支える超高速無線通信への応用に期待
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