強誘電・磁気メモリーデバイスの超高速操作が室温で可能に
ポイント
- BiFeO3結晶薄膜を、時間幅100 fs(10兆分の1秒)の光パルスで励起することで、分極の大きさをパルス幅以内の時間で、室温でも操作できることを実証。
- 最新の時間分解構造測定装置を用いて、光励起による新しい格子の振動(フォノン)が生じ、分極変化の原因となっていることを確認。
- 理論的検討で、光励起で生じた格子の振動が、分極と磁性両方を変化させると考察。
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