~安価かつ環境に優しい量子効果デバイス応用へ新たな道~ 【本研究のポイント】 IV族混晶半導体注 1)ゲルマニウム錫(スズ)(GeSn)注 2)およびゲルマニウムシリコン錫(GeSiSn)注 3)からなる二重障壁構造(D
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続きを読むA Chinese research team has developed a single-step femtosecond laser 4D printing technology that enabl
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