テラヘルツ | Optinews

（テラヘルツ関連）東京科学大学他/電流を使わず人工反強磁性体の電界制御技術を構築

超省エネルギー型スピントロニクスデバイスへの応用に新たな扉ポイントジュール発熱[用語1]の原因となる電流を用いず、電界のみで磁気結合の制御を実証。 [Co/Ru/Co] エピタキシャル[用語2]多層膜人工反強磁性体[

ーテラヘルツ光で解き明かす新しいミクロの世界ー【本学研究者情報】〇大学院理学研究科物理学専攻　特任研究員　高橋まさえ【発表のポイント】結晶の中で電子と格子の振動（フォノン（注1））がエネルギーをやり取りする電

10×10×2センチのコンパクト設計で、業界最高水準の位相雑音性能-126 dBc/Hzを実現ミリ波、テラヘルツシステムに組み込み可能アンリツ株式会社（社長濱田宏一）は、10 MHz～20 GHzに対応するマイク

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～Beyond5G時代の新たな無線システムの構築～ 2025年11月21日株式会社国際電気通信基礎技術研究所(ATR) 学校法人千葉工業大学国立研究開発法人情報通信研究機構(NICT) ザインエレクトロニクス株式会社

スピンとテラヘルツがつなぐ磁気インターフェースの構築概要京都大学化学研究所の Zhang Zhenya 博士研究員（研究当時、現：清華大学博士研究員）、渡邊優一氏（修士課程学生）、廣理英基教授、塩田陽一准教授、輕部

～IOWN/6Gに向けた世界最大27THz帯域を適用した既存光ファイバにおける長距離化と従来比10倍超の大容量化の両立へ～発表のポイント： ◆ 波長帯一括変換技術を適用した超広帯域光増幅中継器を新たに開発することで、従

～安価かつ環境に優しい量子効果デバイス応用へ新たな道～【本研究のポイント】 IV族混晶半導体注 1)ゲルマニウム錫(スズ)（GeSn）注 2)およびゲルマニウムシリコン錫（GeSiSn）注 3)からなる二重障壁構造(D

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