2023年1月12日
兵庫県立大学
公益財団法人高輝度光科学研究センター
京都大学化学研究所
発表のポイント：
- 超短パルスレーザー（注1）の照射によって、ニッケル・コバルト酸化物薄膜において、全光型磁化スイッチング（AOS）（注2）が引き起こされました。
- サンプル温度を380 K以上に上げ、レーザーパルスを同じ場所に蓄積させると完全に磁化が反転する領域であるAOSリングを磁気光学カー顕微鏡（注3）によって観測しました。
- 実験結果は、磁化や保磁力の温度依存性に由来する磁区（注4）サイズの温度変化が、AOSリングの生成条件に関わっていることを示唆しており、新しいAOS材料開発の指針を示すものとなります。
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