学術ニュース

（レーザー関連）岡山大学他／最先端半導体技術開発に新たな分析手法を提供

◆発表のポイント

  • 三次元LSIなどの最先端半導体開発に貢献する、新しい分析手法を開発。
  • 半導体PN接合の光励起による電子の動きとテラヘルツ波放射の関係を説明する単純化モデルを提案。
  • シリコン（Si）ウェハ内部に浅く形成された PN 接合の深さを、簡単に非破壊・非接触で、ナノメートル精度で、推定できることを実証。

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