（テラヘルツ関連）名古屋大学／スズ含有IV族混晶半導体を用いた量子効果デバイスの室温動作に成功

～安価かつ環境に優しい量子効果デバイス応用へ新たな道～

【本研究のポイント】

• IV族混晶半導体注 1)ゲルマニウム錫(スズ)（GeSn）注 2)およびゲルマニウムシリコン錫（GeSiSn）注 3)からなる二重障壁構造(DBS)注 4)を、分子線エピタキシー（MBE）法で、従来よりも高品質にエピタキシャル成長する技術を新規に開発した。
• GeSn層のエピタキシャル成長中にのみ水素（Ｈ₂）ガスを導入することで、平坦かつ急峻界面を有するGeSn/GeSiSn DBSの形成が可能であることを明らかにした。
• 高品質成長した GeSn/GeSiSn DBS を用いた共鳴トンネルダイオード（RTD）注 5)を試作し、従来の動作温度10 Kを大幅に上回る室温(300 K)での動作実証に成功した。