異種材料貼り合わせ技術により、シリコン基板上の半導体レーザーにおいて化合物半導体上と同等のしきい値電流密度を得ることに成功

【本研究の成果】 シリコン基板上に、厚さ1μm程度の薄膜InP層を貼り合わせたテンプレート基板を作製。密接な接合により、接合界面の気泡発生を抑え、質の高い結晶成長とデバイス集積に十分な面積の確保を実現。 InP-Si基板

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