～安価かつ環境に優しい量子効果デバイス応用へ新たな道～ 【本研究のポイント】 IV族混晶半導体注 1)ゲルマニウム錫(スズ)（GeSn）注 2)およびゲルマニウムシリコン錫（GeSiSn）注 3)からなる二重障壁構造(D
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～安価かつ環境に優しい量子効果デバイス応用へ新たな道～ 【本研究のポイント】 IV族混晶半導体注 1)ゲルマニウム錫(スズ)（GeSn）注 2)およびゲルマニウムシリコン錫（GeSiSn）注 3)からなる二重障壁構造(D
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