次世代スピントロニクスに向けた高速スピン制御の機構を提案
研究成果のポイント
- 情報化社会を支えるテクノロジーに、スピンの状態によって情報を保存・処理する磁気媒体がある。さらなる情報処理速度向上のため、ナノ秒を大きく超えた高速なスピン方向制御技術が求められている。
- 次世代スピントロニクスデバイス材料の一つとして期待される希土類オルソフェライトにおいて、中赤外パルス(波長9-12µm)を用いて磁気異方性の鍵となる電子状態の光制御に成功
- 従来行われてきた光加熱によるスピン制御との詳細な比較により、電子系の共鳴励起では遥かに速い磁気異方性の制御が可能であることが確認された
概要
東京大学物性研究所の栗原貴之助教、大阪大学レーザー科学研究所の中嶋誠准教授、コンスタンツ大学のAlfred Leitenstorfer（アルフレッド ライテンストーファ）教授、同大学院生のGabriel Fitzky（ガブリエル フィッツキ）さんらの国際研究チームは、超高速時間スケールにおいて電子系と格子系が磁気異方性変化を引き起こす詳細な機構の解明を目指して、典型的な弱強磁性体である希土類オルソフェライトSm0.7Er0.3FeO3という物質を用いた光学測定を行いました。
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