－単結晶シリコン基板のレーザー加工速度を23倍向上－
理化学研究所（理研）光量子工学研究センター 先端レーザー加工研究チームの杉岡 幸次 チームリーダー、小幡 孝太郎 研究員らの共同研究チームは、フェムト秒レーザー加工[1]において、ギガヘルツ（GHz、1GHzは10億ヘルツ）の超高繰り返しフェムト秒レーザーパルス列（GHzバーストモード[2]）を用いることで、単結晶シリコン基板を高速にアブレーション[3]する新しい手法を開発しました。
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