リソグラフィ

（レーザー関連）浜松ホトニクス株式会社／先端半導体デバイスの故障箇所を非破壊でマイクロメートル単位の位置精度で特定

半導体故障解析装置PHEMOS-Xシリーズは、半導体デバイスの故障に起因する発光・発熱などをとらえて故障箇所を特定する高解像度エミッション顕微鏡です。このたび、当社は保有するレーザ・光センサ・計

～強度分布を制御したレーザーによって高品位なナノ構造を実現～国立大学法人東京農工大学大学院工学研究院先端物理工学部門の宮地悟代教授、同大学大学院工学府化学物理工学専攻の住本武優氏らの研究チームは、チタン表面

―安価で柔軟な次世代エレクトロニクス用材料の合成技術― 研究成果のポイント・　フレキシブル性を有する二次元材料上に、新たな半導体材料として期待される二酸化バナジウム（VO2）※1超薄膜材料の合成に成功・　VO2など酸化

日本語で読みたい方は、 google chromeで開き、画面上で右クリックをして、「日本語に翻訳」をクリックしてください FOR IMMEDIATE RELEASE SAN FRANCISCO – Jan. 27,

2025年1月15日光出力1.7W　波長420nmインディゴ半導体レーザの量産を開始ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社（NTCJ）は、業界最高クラス(*)の光出力1.7W、波長420nm発光インディゴ半導体レー

日本語で読みたい方は、 google chromeで開き、画面上で右クリックをして、「日本語に翻訳」をクリックしてください LLNL’s research and development of the Big Aper

―大型レーザー光源の小型化へ―【研究成果のポイント】従来の波長変換デバイスとは全く異なる超小型な微小共振器デバイスを作製し、波長変換により波長199 nmの真空深紫外光を発生することに成功 IoTや5G技術の発展に伴い

――既存技術よりも早期の段階で、1万倍高速な検査の実現も視野―― 発表のポイントフォトリソグラフィを用いた半導体製造プロセスの不良検査について、実際にリソグラフィパターンが顕在化する前の段階で検査できる手法を開発しまし

令和6年7月26日 -― 先端半導体向けリソグラフィー用EUV光源の駆動レーザー負荷低減へ -― 【発表のポイント】先端半導体注1向けのEUVリソグラフィー注2の光源の研究です。波長13.5 nmのEUV注3光源の高

最先端ノード量産での高い生産性をサポート栃木県小山市；2024年3月27日、半導体リソグラフィ用光源メーカーであるギガフォトン株式会社（本社: 栃木県小山市、代表取締役社長: 浦中克己）は、新型ArF液浸露光装置用光源