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（レーザー関連）名城大学他／AlGaN 系 UV-B 半導体レーザー高効率化の鍵を解明

― 内部光損失を最小化する新たな設計指針で世界最高レベルの電力・光エネルギー変換効率 5.5％を達成 ― Applied Physics Letters の注目論文にも選定名城大学理工学部化学・物質学科の岩谷素顕教

サブマイクロスケールの空間解像度で局所制御、次世代半導体デバイス実現に期待東京理科大学大阪大学理化学研究所科学技術振興機構（JST）研究の要旨とポイント無配向なカーボンナノチューブ（CNT）膜に、偏光制御され

＜要旨＞ローム株式会社（本社：京都市）は、半導体素子の共鳴トンネルダイオード（Resonant Tunneling Diode：RTD）*1を用いた、テラヘルツ波発振デバイスの第2世代品を開発しました。サンプル品とケー

株式会社光響はこのたび、各種材料に対するレーザー加工結果をまとめた国内最大級※の「レーザー加工事例データベース」を当社Webサイト上に公開いたしました。 ※2026年7月23日時点、当社調べ。日本国内でレーザー加工関連

超薄・超低応力・高プロセス整合性・低コストな次世代 THz・赤外センシング基盤発表のポイント国テラヘルツ（THz）波を約95％吸収する、シリコン基板一体型の新しいメタサーフェス吸収体を開発しました。従来の高性能吸

次世代材料や次世代通信の開発を支える新分光イメージング技術を確立　千葉大学大学院融合理工学府博士前期課程千葉初奈氏（研究当時)、同大大学院工学研究院の宮本克彦教授、東北大学大学院理学研究科大野誠吾助教、物質・

株式会社光響はこのたび、Exail社製「ツリウム・ホルミウム共添加ダブルクラッドファイバー」の輸入・販売を開始いたしました。 Exail社は、光通信、量子技術、宇宙・防衛、ナビゲーション、フォトニクス分野において高度な技

アンリツ株式会社（社長濱田宏一）は、データセンタ間接続に使用される光トランシーバの高飽和出力[*1]ニーズに応える1.31 μm 半導体光増幅器 (SOA: Semiconductor Optical Ampl

日本語で読みたい方は、google chromeで開き、画面上で右クリックをして、「日本語に翻訳」をクリックしてください Approach could advance ultrafast wireless commun

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