タグ: PN接合

◆発表のポイント 三次元LSIなどの最先端半導体開発に貢献する、新しい分析手法を開発。 半導体PN接合の光励起による電子の動きとテラヘルツ波放射の関係を説明する単純化モデルを提案。 シリコン（Si）ウェハ内部に浅く形成さ

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