世界最小しきい値電流密度「トンネル接合GaNレーザー」を開発

投稿者:

本学理工学部材料機能工学科の竹内哲也教授(本学光デバイス研究センター長)らの研究グループは、青色LEDを発展させた、安全・安心な社会実現に寄与する新しい光デバイス(半導体レーザー)の開発を目指しており、このたび、トンネル接合を有する GaN 青色レーザーとして世界最小しきい値電流密度を実現しました。

研究成果のポイント
上記研究グループは、前年度に「低抵抗・低コストGaNトンネル接合」を実現しています(左上写真は2018年5月16日の成果発表)。今回、このトンネル接合を用いて、波長450 nmで動作する青色GaNレーザーを開発しました(左下写真)。レーザー動作に必要な電流密度は1.6 kA/cm2であり、これまでに報告されたトンネル接合GaNレーザーとして最も低い値を実現しました(左下図)。このトンネル接合GaNレーザー層構造は、生産性が高い有機金属化合物成長装置(MOVPE装置)1種類のみで形成されており、将来的な低コスト化も可能です。本成果により、高効率GaNレーザー開発が大きく加速することが期待されます。

この情報へのアクセスはメンバーに限定されています。ログインしてください。メンバー登録は下記リンクをクリックしてください。

既存ユーザのログイン
   
新規ユーザー登録
*必須項目