本学理工学部材料機能工学科の竹内哲也教授（本学光デバイス研究センター長）らの研究グループは、青色LEDを発展させた、安全・安心な社会実現に寄与する新しい光デバイス（半導体レーザー）の開発を目指しており、このたび、トンネル接合を有する GaN 青色レーザーとして世界最小しきい値電流密度を実現しました。
研究成果のポイント
上記研究グループは、前年度に「低抵抗・低コストGaNトンネル接合」を実現しています（左上写真は2018年5月16日の成果発表）。今回、このトンネル接合を用いて、波長450 nmで動作する青色GaNレーザーを開発しました（左下写真）。レーザー動作に必要な電流密度は1.6 kA/cm2であり、これまでに報告されたトンネル接合GaNレーザーとして最も低い値を実現しました（左下図）。このトンネル接合GaNレーザー層構造は、生産性が高い有機金属化合物成長装置（MOVPE装置）1種類のみで形成されており、将来的な低コスト化も可能です。本成果により、高効率GaNレーザー開発が大きく加速することが期待されます。
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