三菱電機株式会社は、光トランシーバー※1用として5℃から85℃で動作可能な半導体レーザーダイオードチップ「広動作温度範囲CWDM※2100Gbps（53Gbaud※3PAM4※4）EML※5チップ」を開発し、11月1日にサンプル提供を開始します。光トランシーバーに本チップを4つ搭載することで、データセンターの400Gbps光ファイバー通信を実現します。また、広動作温度範囲の実現により、チップの冷却機構が不要となり、光トランシーバーの低消費電力化と低コスト化に貢献します。
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