名古屋大学未来材料・システム研究所の天野 浩 教授らの研究グループは、旭化成株式会社と窒化アルミニウム(AlN)基板を用いた深紫外(UV-C)半導体レーザーの共同研究を進めてきました。このたび室温パルス電流注入による27
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